삼성전자, 차세대 D램 'D0a' 로드맵 수정…하이브리드 본딩(B1b) 앞당긴다
요약
삼성전자가 첫 10나노 미만 D램인 'D0a'의 기술 기반을 기존 수직트랜지스터(VCT)에서 웨이퍼투웨이퍼 하이브리드 본딩 기술인 'B1b'로 전환하고, VCT D램은 별도로 'D0a-V'로 분류했다. B1b는 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에 만들어 붙이는 방식으로, CMOS 이미지센서·고적층 낸드에서 이미 양산 적용된 바 있어 VCT보다 상용화 허들이 낮은 것으로 평가된다. 삼성전자는 B1b를 차세대 HBM5에도 적용하는 방안을 검토 중이다.
큐레이터 노트
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B1b 기반 D0a D램의 실제 양산 투자 일정은 내년 중반께 확정될 것으로 업계는 보고 있으며, VCT D램 개발도 병행되고 있어 두 기술 경로가 당분간 함께 진행될 가능성이 있다.
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